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标准详情

GB/T 45718-2025 现行

中文名称
半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验

英文名称
Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers

中标分类半导体分立器件综合
ICS分类半导体分立器件综合

标准分类编号 CN

发布日期 2025-05-30
实施日期 2025-09-01

作废日期

被替代标准

代替标准

采用标准 IEC 62374-1-2010,IDT

引用标准 null

补充修订

备注